技术编号:21324103
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及电子技术领域,尤其涉及一种门极驱动电路。背景技术随着开关电源以及电机控制技术的发展,金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,mosfet)门极驱动电路也随之发展,市场出现了各式各样的mosfet门极驱动电路。驱动电路的作用是通过一个低压的信号控制mosfet的通断操作。参见图1,如图1所示,现有的变压器一般在绕制时有两种绕法,一种为原副线并绕,一种为原副线单绕。原副线并绕时,耦合度高,漏感小,驱动能...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。