技术编号：21325549
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及微电子技术领域，具体涉及一种pn结压阻式扩散硅压力传感器，该传感器为制备pn结压阻式扩散硅压力传感器及soi压阻式扩散硅压力传感器。背景技术扩散硅压力传感器由于输出信号大,处理电路简单,而且可以测量压力、差压多面参数而受工业界的重视,近十年来迅速发展,在传感器和变送器市场占有相当大的份额,国外发达国家依靠强大的半导体工业基础对于扩散硅压力传感器机理和应用进行了深入研究,取得了大量成果。但是，现有的扩散硅压力传感器的制作过程中，对于阻条的制作都选用注入再扩散的方法，由于注入后还需要严...
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