技术编号:21358215
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,并且特别涉及一种具有过流限制功能的设备及其构建方法,和一种具有过流限制功能的电路或电路结构及其构建方法。背景技术绝缘栅双极型晶体管igbt(insulatedgatebipolartransistor)是家用电器,工业,可再生能源,ups,铁路,电机驱动、电动汽车(ev)和混合动力电动汽车(hev)应用等电力电子应用中使用最广泛的功率器件。由于存在双极结型晶体管,具有非常高的电流处理能力。在其结构中,大约数百安培,阻断电压为6500v,从而igbt可以控制数百千瓦的负载,可...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。