技术编号：21444869
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于二维材料制备相关技术领域，更具体地，涉及一种二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片及其制备方法。背景技术自1959年vo2的金属绝缘体相变被发现以来(phys.rev.lett.1959,3,34)，由于其接近室温的相变温度和相变产生的独特物理性质变化，引起了广泛的关注和研究。在340k时，vo2由绝缘体相转变为金属相的同时，伴随着其晶体结构由单斜相(m)转变为到金红石相(r)，相变过程中会发生电学、光学、热学等性质的突变，因此vo2在光电开关、红外传感、智能窗户和微纳驱动器等领域...
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