技术编号:21472123
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体领域,特别涉及一种氮化水平异质p-n结结构器件及其制备方法。背景技术随着半导体行业迅速发展,氧化物半导体p-n结成为了研究的热点。由于氧化物的本征缺陷及制备技术上的限制,稳定的高性能p型空穴导电材料显得稀缺。对多数的氧化物晶体来说,其n型半导体容易形成,通过si、sn等原子的掺杂已经实现了对于载流子浓度在一个较大范围内的调控。近期的研究中,p型氧化物材料已成为研究的热点,已初步实现了诸多高质量p型材料的制备。作为p型材料的重要应用之一,p-n结在电子器件领域占据了十分重要的位置,...
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