技术编号:21472223
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体是二极管器件及其制造方法。背景技术mos结构的二极管器件,是一种比较新型的低功耗二极管整流器件,其相比普通的pn结二极管具有更低的正向压降;而与普通的肖特基二极管相比,又具有更低的高温反向漏电,因此比较适合一些需要更低正向压降,同时又需要有较低高温反向漏电的应用场合。但现有的mos结构的二极管器件也有不足之处,与肖特基二极管电特性相似,其反向漏电与正向压降也是一对矛盾参数,并且随着温度的升高,所有二极管的漏电都是上升的;在获取平衡后,其综合表现在反向漏电特性上不如p...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。