技术编号：21476792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请基于日本专利申请2019-000103(申请日2019年1月4日)，从该申请享受优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。本发明的实施方式涉及控制电路、半导体装置及电路装置。背景技术例如igbt(insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极型晶体管)等半导体装置被用于电力变换电路等。期望能够抑制半导体装置中的损耗的控制电路及电气电路。发明内容本发明的实施方式提供能够抑制损耗的控制电路、半导体装置及电路装置。解决技术问题的技术方案根据本发明的实施方式，控...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。