技术编号：21485549
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子领域，具体涉及一种mems器件的抗冲击结构及设计方法。背景技术mems传感器通过测量微小敏感结构的某种变化来实现相应待测量的测量。mems(microelectromechanicalsystem)传感器具有体积小、质量轻、功耗低、成本低等优点。mems传感器按其感知量可以分为mems力学传感器、mems化学传感器、mems生物传感器、mems流量传感器等。mems惯性传感器是一种应用极为广泛的mems力学传感器。mems惯性传感器包括检测加速度的mems加速度传感器和检测角速度的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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