技术编号:21626513
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及制造领域,特别涉及一种3dnand存储器件及其制造方法。背景技术3dnand存储器是一种拥有三维堆叠结构的闪存器件,其存储核心区是由交替堆叠的金属栅层和绝缘层结合垂直沟道管组成。随着对存储密度要求的不断提高,堆叠结构的堆叠层数不断增加,为了减小应力影响及控制成本,堆叠层中每一单层的厚度不断减薄,从而导致各存储单元间的相互影响增强,进而降低存储器件的特性。发明内容有鉴于此,本发明的目的在于提供一种3dnand存储器件及其制造方法,减小各存储单元间的相互影响,提高存储器件的特性...
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