技术编号:21626569
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请为申请号201611150511.7、申请日为2016年12月14日、发明名称为“具有抗酸层的半导体器件及其形成方法”的分案申请。本发明总的来说涉及半导体领域,更具体地,涉及具有抗酸层的半导体器件及其形成方法。背景技术半导体器件在诸如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备的各种电子应用中使用。通常通过以下步骤来制造半导体器件:在半导体衬底上方相继沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层;以及使用光刻来图案化各个材料层,以在各个材料层上形成电路组件和元件。通常在单个半导体晶圆上制造许多集成电路...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。