技术编号:21631118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体存储器技术领域,尤其涉及一种写操作电路和半导体存储器。背景技术本部分旨在为权利要求书中陈述的本申请的实施例提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。半导体存储器包括静态随机存取存储器(staticrandom-accessmemory,简称sram)、动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,简称dram)、同步动态随机存取内存(synchronousdynamicrandomaccessmemory,简称sdram)、只读存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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