技术编号:21651542
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体用溅射靶材技术领域,具体涉及一种避免反溅射层剥离的sip系列靶材及其用途。背景技术在测控溅射物理气相沉积过程中,阴极金属靶材边缘不可避免地会形成反溅射层薄膜。常规工艺条件下,sip系列靶材的反溅射层厚度通常约为几十微米;而在某些特定工艺参数和腔体环境中,sip系列靶材反溅射层厚度甚至可达200μm以上。反溅射层的化学成分通常与阴极金属靶材不同,视具体的工艺参数而定。比如,sipti靶,采用tin工艺,反溅射层成分主要为tin。反溅射层与阴极靶材成分差异必然会导致二者的热膨胀系数不...
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