技术编号:21739678
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及碳化硅外延生长技术领域,尤其涉及一种用于碳化硅外延设备的旋转装置。背景技术碳化硅外延设备是用于制备碳化硅单晶薄膜材料的一种设备,属于化学气相沉积法。反应原理是反应气体流经被加热到反应温度的基片(即衬底)表面,发生化学反应生成碳化硅单晶薄膜。衬底在反应过程中放置在石墨托盘上,为保证薄膜厚度和材料成分的均匀性,必须保证衬底的温度和气流场的均匀性,实施中往往采用石墨托盘快速旋转的方式来实现。目前,现有技术中主要有两种旋转装置:一种是气流驱动的悬浮式旋转装置(如图1所示),另一种是中心轴支...
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