技术编号：217989
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明提供，将香石竹生长发育不良的组培苗切段后，轮换放入不同的培养基中培养15～30天，每次培养温度为22～26℃、光照强度为2000～3000lx，光照时间为10～14小时/天，且上一次培养结束后，将增殖的组培苗切段放入下一次培养基内继续培养，获得生长发育良好的组培苗。本发明有效解决了香石竹组培繁殖过程中，由于品种自身的因素或是由于继代次数增加而造成组培苗茎秆细弱、繁殖系数降低、生长缓慢、黄化及玻璃化、增殖力弱或不增殖等问题，对香石竹种质资源保存和优质种苗产业化生产具有重要的意义。专利说明技术领域[000...
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