技术编号:21806452
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子材料开发和薄膜材料制备技术,具体涉及铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用。背景技术公开该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。近年来,铁电材料,尤其是铁电膜因具有良好的铁电、压电、介电、光电、热释电等特性,在高容量存储器、高密度电容器、微机电系统等方面有着广泛的应用前景,是目前科学研究的前沿和热点之一。其中,铁酸铋是一种在室温下同时具有铁电性和反铁磁性的多铁...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。