技术编号：21868109
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种功率半导体器件。背景技术如图11所示，为传统沟槽mosfet结构的结构示意图。如图11所示，沟槽mosfet结构包括元胞区和终端保护区，元胞区位于器件的中心区。图13显示了器件承受耐压时的击穿点，所示击穿点位于最靠近元胞区的第二类沟槽的靠近元胞区的一侧，该击穿点极其靠近栅氧层，并且该位置电场极高，这种击穿情形容易导致栅氧层的损伤，导致器件耐压下降。发明内容本实用新型提供了一种功率半导体器件，解决相关技术中存在的器件耐压下降的问题。作为本实用新型的一个方面...
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