技术编号:21970999
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于锂离子电池材料技术领域,涉及一种中空硅微球-氮掺杂碳纳米线硅负极材料及其制法和应用。背景技术随着电动汽车与便携式用电器的发展,高能量密度锂离子电池的需求也日益增加。传统石墨负极材料理论比容量仅有372mah/g,很难满足市场需求。硅材料的首次克容量为4200mah/g,嵌锂平台更高,地壳储存丰富,对环境友好等优势,逐渐引起研究者的广泛关注。然而硅的体积膨胀高达300%,在循环过程中,不仅会导致硅与周围的导电炭网络分离,形成“死硅”,还会导致硅与集流体发生剥离。其次,较大的体积膨胀还会导...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。