技术编号:22036816
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,更具体地说,是涉及一种垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管及制备方法。背景技术电力电子系统越来越趋向于小型化、高功率、低损耗,这就对功率半导体器件提出了更高的要求。金刚石的禁带宽度大,击穿电场高,热导率高,同时,金刚石半导体材料还具有高的电子和空穴迁移率。金刚石材料以其优异的特性被称为第四代半导体材料。其在电力电子器件方面的特性优值,显著优于sic和gan材料,是制作大功率、高频、高温、低功率损耗电力电子器件的理想材料。功率mosfet(金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称...
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