技术编号:22280446
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及单晶硅生长领域,特别是涉及一种单晶炉排气管道及单晶炉。背景技术为了制造单晶硅,常用的一种方法时是直拉法生长单晶硅,将固体的多晶硅盛放在单晶炉的石英坩埚内,用石墨加热器通过辐射将固体的多晶硅加热熔化成液体熔硅,然后采用直拉的方法,将熔硅生长成单晶硅棒。在单晶生长的过程中,需要通入氩气,利用氩气带走晶体生长时液体硅凝固成固体硅产生的结晶潜热,同时将产生的氧化硅等挥发物从单晶炉底的排气管道排出。当高温的氧化硅微粉通过排气管道时,因管道内外壁的温差较大,微粉急剧冷却沉积在排气管道的内壁上。...
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