技术编号:22323120
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶圆。背景技术迄今,已知有提高在si基板上通过外延晶体生长所形成的氮化物半导体层的品质的技术(例如参见专利文献1)。根据专利文献1记载的技术,认为通过以不同成膜条件的多个阶段形成作为在包含si基板的基板的表面形成的缓冲层的aln系薄膜,使得在其上形成的iii族氮化物薄膜层中的裂纹、凹坑减少。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-59850号公报发明内容发明要解决的问题然而,即使使用专利文献1中记载的技术等,也并不是在si基板上形成的全部氮化物半导体层的品质都会提高。因...
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