技术编号：22372852
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于光电技术领域，涉及一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构。背景技术类似于半导体的电子能带结构，光子晶体中存在光子能带结构。缺陷光子晶体中具有缺陷模，缺陷模位于光子能带的中间，缺陷模的电场主要分布在缺陷层内。当输入光的频率正好等于缺陷模，光波将无反射地全部通过光子晶体，故也将缺陷模叫透射模。如果光子晶体中存在弱损耗，且入射波长位于缺陷模附近时，反射光束的相位会随入射角、入射波长或其它参数的改变而发生剧烈地波动。反射光束的横向位移正比于反射光束相位的变化率，因此，在缺陷模附近，可实现...
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