技术编号：22400761
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于半导体单晶生长的高纯sic粉料的快速合成方法，属于碳化硅粉料合成技术领域。背景技术碳化硅(sic)是第三代宽带隙半导体材料(又称高温半导体材料)中的重要一员，其禁带宽度大、热导率高、载流子饱和迁移速度高、临界击穿电场强度高并具有极好的化学稳定性，制造的器件可在高温、高频率、大功率、高电压、强辐射等苛刻条件下应用。目前，在白光照明、航空航天、核反应堆系统、雷达通讯、石油钻井、汽车电子化及装备等领域有着广泛的应用。高质量的sic单晶的生长依赖于高纯sic粉料。目前进行sic粉料合成...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。