技术编号:22439169
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在此公开的技术属于关于太阳能电池的制造方法的技术领域。背景技术一般的太阳能电池为在半导体基板的两面(受光面和背面)配置有电极的两面电极型,近来,作为没有因电极所致的屏蔽损耗的太阳能电池,开发出了如专利文献1所记载的仅背面配置有电极的背面接触(背面电极)型太阳能电池。背面接触型太阳能电池必须在背面以高精度形成p型半导体层和n型半导体层等半导体层图案,与两面电极型的太阳能电池相比制造方法繁琐。作为用于将制造方法简化的技术,如专利文献1所记载的那样,可举出基于剥离(lift-off)法的半导体层图案的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。