技术编号:22459737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及led芯片制造技术领域,具体涉及一种提高外量子效率的led芯片。背景技术自从1992年p-氮化镓(p-gan)取得突破性进展以后,gan基发光二极管(lightemittingdiodes,led)技术取得突飞猛进的进展。led芯片的内量子效率取得极大提升,达到80%以上,但是外量子效率仍然很低。人们为提高led的外量子效率,开发了很多工艺技术,其中一项就是采用反射电极,反射电极技术的原理是因为电极金属在可见光范围内不透明,而传统led芯片是两个电极安装在同侧,都在led芯片发光面...
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