技术编号：22551359
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种增加晶体管有效沟道长度的方法。背景技术随着集成电路技术的不断发展，技术节点不断降低，一方面为了提高集成度，同等面积下集成的器件数量增多；另一方面晶体管的栅极特征尺寸也随之缩小，从而造成了严重的短沟道效应，使得器件的漏电流急剧升高。因此，如何同时提高器件的集成度，又能增加器件的有效沟道长度是亟待解决的问题。发明内容鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种增加晶体管有效沟道长度的方法，用于解决现有技术中单个器件占用面积较大、传统晶体管的有效沟道长度...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。