技术编号:22551363
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种调整ldmos晶体管中氧化物场板角度的方法。背景技术bcd工艺为在同一芯片上制作双极晶体管(bipolarjunctiontransistor,bjt)、互补型金属氧化物半导体(cmos)、扩散金属氧化物半导体(dmos)的工艺。在采用bcd工艺进行制备ldmos晶体管(laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)晶体管的过程中,通常采用场极板来降低电场、提高电压,如图1a所示,场板由...
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