技术编号:22554355
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料及其制备技术领域,具体涉及到低位错、高电子迁移率gainsb晶体掺杂in元素的gainsb晶体制备方法背景技术半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一种材料,随着信息时代及新兴5g时代的逐步深入,晶体管、集成电路、红外探测、光伏电池、光电子及微电子的技术革新,在信息时代日新月异的今天,制备优越高质量的半导体显的尤为重要。gainsb作为第三代化合物半导体材料,由于其高的电子迁移率、禁带宽度窄及优异的电学性能,被广泛应用于光电通讯、太阳能电池、激光探测、卫星导航等重要领域,在半导体...
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