技术编号:22554358
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用缺陷和杂质改进单晶金刚石晶种外延生长的方法,涉及单晶金刚石制备。背景技术单晶金刚石的制备技术逐渐成熟,通常微波法外延生长单晶金刚石需要表面洁净无缺陷的晶种,但这不仅导致生长成本的提高,还需舍弃一些品质较差,质量较低的单晶金刚石,造成较大的浪费。特别是cvd法获得的金刚石,品质和性能均匀性都有较大的提升。但制备过程中良品率的提升一直都存在较大问题,品质不足的样品主要是由于生长缺陷和杂质问题,这导致了晶种的浪费。本发明提供的技术方案利用了品质不足样品的表面缺陷,获得了较好的生长效果...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。