技术编号:22556438
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(dms)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(sic)来制造涂覆sic的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体,以及涉及所述涂覆碳化硅的主体用于制造用于高温应用、基座和反应器、半导体材料以及晶片的制品的用途。背景技术涂覆sic的主体是各种技术领域中的重要产品,并且对于高温应用(诸如用于所应用的材料和反应器的基座和晶片、半导体材料、芯片制造等)来说特别地有用。特别地,在高温应用中并当应用在高精度器件中...
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