技术编号：22586045
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳加工制备领域，具体涉及无机/有机纳米材料制备技术，尤其涉及一种基于水冰的电子束诱导刻蚀技术。背景技术具有单层或多层原子厚度的二维（2d）材料因其与结构有关的独特电子和光学特性而受到广泛关注，例如表现出金属性质的石墨烯。2d过渡金属硫属化物（tmdc）是新兴的一类材料，它们具有直接的带隙并提供了有希望的半导体替代品。典型的例子是单层二硫化钼（mos2），它具有1.9ev的大电子带隙，得益于其可控的电导率和强大的光致发光能力，在晶体管，光调制器，能量储存技术，生物传感器和光催化等领域中...
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