技术编号:22587213
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种成膜方法和成膜装置。背景技术已知一种向表面形成有细微凹部的基板供给硅烷系气体和硅系含氯化合物气体来形成硅膜的技术(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2017-152426号公报发明内容发明要解决的问题本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的技术。用于解决问题的方案基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环:向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体;向所述处理容器内供给含卤硅原料气体;以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料...
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