减少保持泄漏的SRAM的制作方法技术资料下载

技术编号:22617919

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相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月10日提交的美国临时专利申请号62/831,916的优先权,其内容在法律允许的最大范围内通过引用整体并入本文。本公开涉及用于为存储器阵列供电的虚拟电源和/或虚拟接地电压生成的领域。背景技术静态随机存取存储器(sram)阵列由于其具有快速访问数据的能力而经常在电子产品中使用。为了减小sram阵列的管芯面积,用于sram存储器阵列的晶体管的尺寸一直在缩小。图1中示出了一个示例sram单元19。可以看出,sram单元19包括在虚拟电源电压(虚拟vdd)节点和...
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