技术编号:22627025
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。概括地说,本申请涉及存储技术的领域,并且更具体而言,涉及存储器件及其形成方法。背景技术3维存储器件,诸如nand存储器件中常常使用阶梯结构。阶梯结构可以包括许多电极阶梯。可以在阶梯上形成垂直接触以电连接到对应电极。底部选择栅是用于选择nand串的电极,并且底部选择栅的阶梯处于阶梯结构的底部。发明内容本公开内容的一个方面包括存储器件。该存储器件包括在衬底上的底部选择栅(bsg)结构,包括穿过所述bsg结构垂直形成的切缝。单元-层结构形成于bsg结构上。栅极线狭缝垂直穿过单元-层结构和bsg结构结构...
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