技术编号：22630169
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体微纳加工技术领域，尤其是涉及一种导电氧化物等离激元纳米光学天线及其制备方法。背景技术金属纳米结构阵列(即所谓的金属等离激元纳米光学天线)与光相互作用所激发的表面等离激元以其优异的光捕获和电磁场聚集增强特性为其在表面等离子体光子学领域开辟了广阔的研究空间，并已广泛应用于提高太阳能电池、光电探测器、发光二极管和光催化等领域的光电转换效率。最近的研究表明，表面等离激元可以通过非辐射方式衰变为热电子，从金属等离子体纳米结构中逃逸出来，能量高于金属纳米结构与半导体材料形成的肖特基势垒高度的...
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