技术编号:22685003
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备大面积过渡金属硫族化合物单晶的方法及其所得产品,属于无机纳米材料技术领域。背景技术过渡金属硫族化合物是典型的二维半导体材料,拥有许多优异的物理化学性质,例如可见光范围的带隙结构、高电子迁移率,在光电探测器件、场效应晶体管、微纳电子器件及其大规模集成电路等诸多领域有着广泛的应用前景。英寸级及以上尺寸的大面积单晶材料的稳定、可控制备,是二维材料器件集成走向应用的关键。以典型的过渡金属硫族化合物mos2材料为例,目前,制备器件级mos2材料的方法有机械剥离法、化学气相沉积法(cvd)...
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