技术编号：22806855
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于x射线探测技术领域，尤其涉及一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型及应用。背景技术目前，三维电极探测器较之传统的二维/平面探测器具有诸多优势，比如其耗尽电压不再受到探测器晶元厚度的影响，可以使探测器厚度增加至几个毫米而不增加探测器的耗尽电压(现有探测器较厚的厚度也仅为几百微米)。探测器的耗尽电压不受其厚度限制，将会给探测器带来很多优势，比如现存超纯高阻硅探测器在50kev能量以上的探测效率可以增加至30％左右，而平面探测器由于其厚度限制，探测效率仅约为15％。随着三维电极探测器的提出...
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