技术编号:22839672
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,具体涉及一种双有源区激光器芯片及制备方法。背景技术为了使半导体激光器实现高功率输出,现有技术中多采用半导体双有源区巴条结构,半导体双有源区巴条结构,是通过一次外延生长把两个有源区垂直堆叠,上有源区和下有源区之间通过一个反向高掺杂pn隧道结串联。一个载流子在经过第一个有源区参与复合发光后,在隧道结处完成反转,还可在第二个有源区参与复合发光。从原理上,半导体双有源区巴条的内量子效率将提高两倍,实现在一定电流注入情况下,激光输出功率达到两倍,但是半导体双有源区巴条芯片倒焊封装在热...
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