技术编号:22845401
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用在处理室内形成的等离子体对半导体晶片(以下,也简记为晶片)等样品进行处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法,特别涉及向处理室内供给磁场并作用于等离子体从而对样品进行处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法、ecr高度监视器。背景技术伴随着半导体设备的集成度的提高,要求加工形状的控制性和晶片面内的均匀性的提高的并存。关于晶片面内的均匀性的提高,通过使等离子体分布均匀化来实现蚀刻速率的均匀化。已知一种电子微管谐振(electronmicrotronresonance:ecr)方式...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。