技术编号：22883771
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体封装技术领域，具体涉及一种紫外led封装结构及其制备方法。背景技术为了保护全球生态环境，原来占据主要市场的汞灯紫外光源将逐渐退出历史舞台，取而代之的是环保节能的紫外led固态光源，这对于紫外led产业是一个重要历史发展契机。紫外led，主要指发光波长短于410nm的一类发光led的统称，根据其发光波长，可以分为3类：(1)近紫外(uva)：410-320nm，(2)中紫外(uvb)：320-280nm，(3)深紫外(uvc)：280-100nm。不同发光波长的紫外led有着不...
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