技术编号:22923712
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种校准方法,特别涉及一种三轴振动传感器的校准方法,属于芯片制备技术领域。背景技术一般的mems振动传感器芯片在幅频响应的高频部分是幅度衰减或者由于共振点的原因是向上拱起的,图2、图3和图4为常见的几种典型的mems芯片幅频响应图(画圈区域代表需要校准和补偿的区域),太低的频带由于通频带比较平坦,因此无须校准,太高的频带偏离正常值已经很大,即使进行校准意义也不大,因此这里所说的校准区域主要是中高频带。,如果我们既想提升mems芯片的带宽,又要保证相应的精度,就需要对mems芯片的中高频...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。