技术编号:22974016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及溅射沉积含添加剂的氮化铝薄膜的方法。具体而言,本发明涉及一种用于沉积含添加剂的氮化铝薄膜,例如含钪或钇的氮化铝薄膜的脉冲dc反应溅射方法。本发明还涉及含添加剂的氮化铝薄膜本身以及包括这些薄膜的压电器件。背景技术压电氮化铝(aln)薄膜可以应用于rf谐振器器件,如体声波(baw)滤波器。与未掺杂的氮化铝薄膜相比,含添加剂的氮化铝可以提高器件的机电耦合效率(keff)。例如,钪可以以降低铝含量为代价加入到合金中,以形成具有相对较高keff的al100-xscxn形式的含添加剂的氮化铝。应当...
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