技术编号:23005922
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶体生长的技术领域,尤其涉及一种便于半导体晶体生长的石墨坩埚及其使用方法。背景技术在晶体生长的制取方法中,通常采用提拉法,提拉法的生长工艺首先将待生长的晶体的原料放在耐高温的坩埚中加热熔化,调整炉内温度场,使熔体上部处于过冷状态;然后在籽晶夹头上安放一粒籽晶,让籽晶接触熔体表面,待籽晶表面稍熔后,提拉并转动铱杆,使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提拉和旋转过程中,生长出圆柱状晶体;但此种方法需要工作人员对铱杆进行转动和提拉,从而导致工作人员的工作量和劳动强度较大;现有的转动...
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