技术编号：23005926
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及导流罩技术领域，具体为一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩。背景技术在单晶的拉制过程中，氩气由上而下吹入硅液表面，因为各石墨件之间以及石墨件与炉体之间存在一定的缝隙，氩气会再次由下而上携带杂质从缝隙处进入液面，因此会影响单晶的成晶以及热场的稳定，产生旁路，导流罩的使用可以弥补石墨件之间的缝隙，并且可以挡住因旁路产生的氩气进入液面，使液面更加洁净和稳定；现有装置存有以下几点不足：1、现有导流罩观察口，不能够很好的观察内部，不能时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况。2、副室炉过长...
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