技术编号：23068297
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。实施方式涉及半导体存储装置。背景技术将存储单元三维配置的半导体存储装置的研发得到发展。例如，nand型非易失性存储装置包括层叠在导电层上的多个电极层和在贯通多个电极层而延伸的存储器孔内设置的半导体膜及电荷保持膜，在存储器孔贯通电极层的部分配置有存储单元。这样的存储装置通过增加电极层的层叠数量，能够增大其存储容量。但是，随着电极层的层叠数量增加，形成贯通多个电极层的存储器孔变困难。对此能够使用这样的方法，形成贯通多个第一电极层的第一存储器孔，进而形成贯通层叠在第一电极层上的多个第二电极层并连通第一...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。