技术编号：23068312
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景优先权要求本专利申请要求于2018年4月20日提交的题为“bodyconnectionforasilicon-on-insulatordevice(用于绝缘体上覆硅器件的体连接)”的申请no.15/958,792的优先权，该申请被转让给本申请受让人并由此通过援引明确纳入于此。领域本公开的各方面涉及绝缘体上覆硅器件，尤其涉及用于连接绝缘体上覆硅mosfet的本体的结构和方法。背景技术绝缘体上覆硅(soi)技术是指在半导体制造(尤其是微电子学)中使用分层的硅-绝缘体-硅基板代替常规硅基板以减少寄...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。