技术编号:23068669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高深宽比微结构深度值的无损测量技术领域,尤其涉及一种高深宽比微沟槽深度的对比光谱测量系统与方法。背景技术随着mems工艺技术与应用水平的不断提高,高深宽比微沟槽结构因其具有狭窄而垂直的空气间隙和较大的比表面积、能显著提高电荷存储能力和增加叉指电容和传感器的灵敏度,因此,在梳齿状微电极阵列、超级电容器、加速度传感器、陀螺、光栅和微纳谐振器等领域具有广泛应用。为提高mems沟槽制造质量并确保器件产率,需要对其三维特征尺寸如深度、宽度、侧壁角等主要参数进行测量与分析。目前微沟槽深度信息的光谱...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。