技术编号:23068701
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁性存储器技术领域,尤其涉及一种mram电极及其制备方法。背景技术近年来,mram(magneticrandomaccessmemory,磁性随机存储器)被认为是未来的固态非易失性记忆体,相比于目前其他类型的存储器,具有读写速度快、可实现无限次擦写、易于与目前的半导体工艺相兼容等优点。mram中的核心存储单元为mtj单元,其结构主要包括磁性自由层/非磁性势垒层/磁性参考层。在外加磁场或电流等驱动下,磁性自由层的磁矩方向发生翻转,与磁性参考层的磁矩方向呈现平行态或反平行态,使得mram出...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。