技术编号:23093006
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体石墨热场技术领域,具体为一种筒式单晶炉的半导体石墨热场。背景技术普通方法拉制的单晶,不同晶向,不同掺杂源表现的电阻率均匀性(rrv)不同,由于硼和磷在硅晶体中的固有分凝系数的存在,rrv的存在是不可避免的,目前硅单晶拉制通常采用单晶炉进行,将多晶原料放入到单晶炉内部的石英坩埚中,经设置在单晶炉内部的加热器的加热作用下,形成热场使多晶原料熔化,放入籽晶到石英坩埚中使其生长为硅单晶;现有装置存在以下问题:1、现有的装置放置物料时,大多数都还需手动的进行多组的螺栓拧动,才能打开放置物料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。