技术编号:23183664
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本公开的实施例总体上涉及在厚膜沉积期间在等离子体处理腔室中减少电弧的装置。相关技术说明等离子体强化的化学气相沉积(pecvd)工艺是化学工艺,在该化学工艺中将电磁能量施加到至少一个前驱物气体或前驱物蒸汽,以将前驱物转变成反应等离子体。使用pecvd具有许多优点,包括但不限于降低形成膜所需的温度、增加膜的形成速率、以及强化所形成的层的特性。pecvd工艺在硬掩模(hardmask)的形成中已经日益普遍。随着设备从包括64个氧化物/氮化物交替层的堆叠发展到包括96个或128个氧化物/氮化物交...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。