技术编号：23270915
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体性能参数检测方法技术领域，具体涉及一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置。背景技术对于工业生产的导电型碳化硅半导体晶体，在表征时除了重量、厚度、直径等常规物理参数外，还通过电阻率、载流子浓度、微管密度、位错、包裹体等性能参数评价其质量，特别是电阻率，电阻率是区分不同类型工业碳化硅产品重要的性能指标。然而，现有技术中对工业碳化硅晶体产品的性能评价，需要将晶锭切片、割圆、研磨以及抛光后的晶片成品在实验室中采用精密的检测仪器进行检测，而并没有一种能够在生产工艺过程中例如生产现场下对制...
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